所谓的Flash是用来形容整个存储单元的内容可以一次性擦除。所以，理论上凡是具备这样特征的存储器都可以称为Flash memory.E2PROM里面也分FF-EEPROM和FLASH EEPROM的。现在大家所讲的Flash memory实际上分为两大类，一类是Floating Gate Device, 一类是Charge Trapping Device 。 这里的分类标准主要是program 与 erase的机制的不同。

一:FLASH和E2PROM的区别
1:相同点是两者都能掉电存储数据
2:不同点是
A,FLASH写入时间长,E2PROM写入时间短.
B,FLASH擦写次数少(10000次),E2PROM次数多(1000000次)
二:单片机的数据存储器不能用FLASH,因为:
1:FLASH有一定的擦除,写入次数,一般的单片机的FLASH擦除写入次数的标称值是10000次.
2:FLASH写入数据需要比较长的时间,大约需要4-6ms.而且写FLASH需要加上9V的高压,麻烦.
三:至于E2PROM,可以作为数据存储器,但是单片机一般用RAM作为数据存储器,因为E2PRM工艺复杂,成本高,适合于存储掉电保护的数据,而这类数据往往不需要存储太多.所以一般的单片机都没在内部集成E2PROM,需要的时候,可以让单片机外挂24C01一类的串行E2PROM.